Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUS260N10S5N019TATMA1
MOSFET_(75V 120V(
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- PG-HDSOP-16-2
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUS260N10S5N019
IAUS260N10S5N019TATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUS260N10S5N019TATMA1, 100V Drain-Source gerilimi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 260A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında ve inverter devreleri için uygundur. 1.9mOhm (10V, 100A koşullarında) düşük on-direnci ile enerji verimliliği sağlar. PG-HDSOP-16-2 yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışır. Elektrik araçları, endüstriyel kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 260A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 166 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11830 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-16-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 210µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok