Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUS240N08S5N019ATMA1
MOSFET N-CH 80V 240A HSOG-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUS240N08S5N019ATMA1
IAUS240N08S5N019ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUS240N08S5N019ATMA1, 80V/240A özellikleriyle N-Channel güç MOSFET'idir. Surface mount HSOG-8 paketinde sunulan bu transistör, 1.9mΩ (@ 100A, 10V) çok düşük RDS(on) değeri sayesinde düşük ısı kaybı ve yüksek verimlilik sağlar. -55°C ile +175°C geniş çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. 130nC (@ 10V) gate charge karakteristiği hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. DC-DC konvertörleri, güç yönetimi modülleri, motor sürücüler ve endüstriyel güç elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 240A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9264 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSMD, Gull Wing |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOG-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 160µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok