Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUS200N08S5N023ATMA1
MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUS200N08S5N023ATMA1
IAUS200N08S5N023ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUS200N08S5N023ATMA1, 80V drain-source geriliminde 200A sürekli akım kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 2.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Geniş işletme sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 175°C) stabil performans sunup, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılmaya uygundur. 8-pin PowerSMD HSOG-8 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. 110nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemleri destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7670 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSMD, Gull Wing |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOG-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok