Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUS165N08S5N029ATMA1
MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUS165N08S5N029ATMA1
IAUS165N08S5N029ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUS165N08S5N029ATMA1, 80V drain-source gerilim ve 165A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. HSOG-8 (8-PowerSMD) yüzey montaj paketi ile sunulan bu transistör, 2.9mΩ maksimum RDS(ON) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında güvenilir çalışma sunması ve 167W maksimum güç dağılımı yeteneği, anahtarlama uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetim sistemlerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 6V ve 10V sürü gerilimi desteği ile çeşitli lojik seviyeleriyle uyumluluğu sağlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 165A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6370 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSMD, Gull Wing |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOG-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 108µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok