Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUC90N10S5N062ATMA1

MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8-34

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IAUC90N10S5N062

IAUC90N10S5N062ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC90N10S5N062ATMA1, N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltajında ve 90A sürekli drain akımında çalışmaya tasarlanmıştır. 6.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. Surface mount TDSON-8-34 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek akım anahtarlaması gerektiren endüstriyel uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 115W maksimum güç dağıtabilme kapasitesi bulunan bu transistör, ±20V gate-source voltaj toleransına sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3275 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 45A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 59µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok