Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUC80N04S6N036ATMA1
IAUC80N04S6N036ATMA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUC80N04S6N036ATMA1
IAUC80N04S6N036ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC80N04S6N036ATMA1, 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V Drain-Source gerilimi ile güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve güç kaynağı tasarımlarında kullanılır. 3.68mOhm düşük on-direnci (RDS On) ile ısı üretimini minimumda tutar. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışır. 50W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle yüksek yoğunluk uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1338 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.68mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 18µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok