Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUC80N04S6L032ATMA1
IAUC80N04S6L032ATMA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUC80N04S6L032ATMA1
IAUC80N04S6L032ATMA1 Hakkında
IAUC80N04S6L032ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80A sürekli drenaj akımı ve 40V drenaj-kaynak gerilimi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 3.29mOhm on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount paketi (8-PowerTDFN) sayesinde kompakt PCB tasarımına olanak tanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu FET, anahtarlama devreleri, motor denetleyicileri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. 50W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında geniş kullanım alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1515 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.29mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 18µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok