Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUC60N10S5L110ATMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUC60N10S5L110ATMA1
IAUC60N10S5L110ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC60N10S5L110ATMA1, 100V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. PG-TDSON-8 yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 11mOhm (10V, 30A koşullarında) düşük On-state direnci sayesinde enerji kayıplarını minimize eder. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 88W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilen bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1665 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-33 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok