Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUC60N06S5L073ATMA1
MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUC60N06S5L073ATMA1
IAUC60N06S5L073ATMA1 Hakkında
IAUC60N06S5L073ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 60A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılan güç elektronik bileşenidir. PG-TDSON-8 SMD paketinde sunulan transistör, 7.3mOhm'luk düşük RDS(on) değeri sayesinde ısı kaybını minimalize eder. Gate charge değeri 22.6nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. DC-DC konvertörler, motor kontrolü, güç kaynakları ve ağır akım anahtarlama devrelerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1655 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.3mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-33 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 19µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok