Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUC60N04S6N044ATMA1

IAUC60N04S6N044ATMA1

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IAUC60N04S6N044ATMA1

IAUC60N04S6N044ATMA1 Hakkında

IAUC60N04S6N044ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 60A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 40V Drain-Source gerilim derecesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.52mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface Mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, DC-DC konvertörler, motor sürücüler, güç dağıtım sistemleri ve switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1042 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.52mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 14µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok