Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUC60N04S6L039ATMA1
IAUC60N04S6L039ATMA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUC60N04S6L039ATMA1
IAUC60N04S6L039ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC60N04S6L039ATMA1, N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 60A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.02mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Surface mount PG-TDSON-8 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol uygulamalarında ve enerji yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1179 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.02mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 14µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok