Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUC50N08S5L096ATMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUC50N08S5L096ATMA1
IAUC50N08S5L096ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC50N08S5L096ATMA1, 80V Drain-Source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 50A sürekli drain akımı kapasitesi ve 9.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. 8-PowerTDFN yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Motor kontrol, güç dönüştürücüler, şarj uygulamaları ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1684 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-33 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 24µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok