Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUC41N06S5N102ATMA1

MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IAUC41N06S5N102ATMA1

IAUC41N06S5N102ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC41N06S5N102ATMA1, 60V Drain-Source geriliminde çalışabilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25°C'de 47A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (10.2mΩ @ 20A, 10V) ile yüksek verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. PG-TDSON-8 Surface Mount paketinde sunulan komponent, güç yönetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 42W güç dağıtabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1112.1 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.2mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-33
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 13µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok