Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUC28N08S5L230ATMA1

MOSFET N-CH 80V 28A 8TDSON-33

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IAUC28N08S5L230A

IAUC28N08S5L230ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC28N08S5L230ATMA1, 80V drain-source gerilimi ve 28A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 8-PowerTDFN paket tipinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (23mOhm @ 10V) özelliği ile güç yönetimi uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama devrelerine, güç kaynakları tasarımına, motor kontrol sistemlerine ve güç dönüştürücülerine uygun hale getirilmiştir. Maksimum 38W güç tüketimi ve hızlı kapanma karakteristiği ile yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 28A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 867 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-33
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 11µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok