Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUC26N10S5L245ATMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUC26N10S5L245ATMA1
IAUC26N10S5L245ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC26N10S5L245ATMA1, 100V drenaj-kaynak voltajında ve 26A sürekli drenaj akımında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. PG-TDSON-8 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 24.5mΩ (10V, 13A koşullarında) düşük gate-source on direncine ve 12nC gate yüküne sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen ve 40W güç tüketimine dayanabilen bu transistör, anahtar uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 762 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24.5mOhm @ 13A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-33 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 13µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok