Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUC120N06S5N017ATMA1

MOSFET N-CH 60V 120A TDSON-8-43

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IAUC120N06S5N017ATMA1

IAUC120N06S5N017ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC120N06S5N017ATMA1, 60V drain-source gerilimi ve 120A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. 1.7mΩ (10V, 60A koşullarında) düşük on-state direnç değeri sayesinde enerji kaybı minimumda tutulur. Surface mount TDSON-8-43 paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Güç yönetimi uygulamaları, DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve ağır akım anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik ürünlerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6952 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-43
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 94µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok