Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUC120N04S6N013ATMA1
IAUC120N04S6N013ATMA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUC120N04S6N
IAUC120N04S6N013ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC120N04S6N04S6N013ATMA1, 40V drain-source voltajında 120A sürekli akım yönetebilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 1.34mΩ maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerTDFN yüzey monte paket formatında sunulan bu bileşen, elektrik araçları, enerji dönüştürme sistemleri, endüstriyel sürücüler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında 115W güç disipasyonu kapasitesiyle yüksek akım uygulamaları için uygundur. Düşük gate charge ve input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4260 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.34mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok