Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUC120N04S6N006ATMA1
IAUC120N04S6N006ATMA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUC120N04S6N006ATMA1
IAUC120N04S6N006ATMA1 Hakkında
IAUC120N04S6N006ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 40V N-Channel power MOSFET'tir. 120A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir transistördür. 0.6mΩ On-Resistance değeri ile düşük ısıl kayıplar sağlar. Surface Mount paketi (8-PowerTDFN) ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ile motor kontrol, DC-DC konvertörler, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 187W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek akım anahtarlama işlemlerinde kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 151 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10117 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 187W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.6mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-53 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok