Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUC120N04S6L009ATMA1

MOSFET N-CH 40V 150A TDSON-8-34

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IAUC120N04S6L009ATMA1

IAUC120N04S6L009ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC120N04S6L009ATMA1, 40V drain-source gerilimi ve 150A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TDSON-8-34 paketinde sunulan bu bileşen, düşük 960mOhm on-resistance değeri ile güç uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. ±16V maksimum gate-source gerilimi ve 2V threshold gerilimi ile kontrol kolaylığı sunar. Motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlamalı güç kaynakları ve ters akım koruması gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma süresi ve 150W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygun tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7806 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 960mOhm @ 60A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 90µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok