Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUC120N04S6L008ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUC120N04S6L008
IAUC120N04S6L008ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC120N04S6L008ATMA1, 40V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 120A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-state direnci (0.8mΩ @ 60A, 10V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda kullanılır. 8-PowerTDFN (PG-TDSON-8-33) paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve otoomotiv sistemlerinde yaygın olarak kullanılan bu MOSFET, hızlı anahtarlama ve düşük kayıp özelliği ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7910 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.8mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-33 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok