Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUC120N04S6L005ATMA1
IAUC120N04S6L005ATMA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUC120N04S6L005ATMA1
IAUC120N04S6L005ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC120N04S6L005ATMA1, 40V Drain-Source gerilimi ve 120A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmış bir N-Channel MOSFET transistördür. 0.55mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerTDFN yüzey montajlı paket türünde sunulan bu komponent, güç yönetimi, motor kontrolü, şarj devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışır ve 187W maksimum güç tüketiminde uygulanabilir. 177nC kapı yükü ve düşük giriş kapasitansi ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 177 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11203 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 187W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.55mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-53 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok