Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUC100N10S5L040ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUC100N10S5L040A
IAUC100N10S5L040ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC100N10S5L040ATMA1, N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında 100A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 4mΩ maksimum on-direnci (10V gate geriliminde) ile düşük güç kaybında çalışır. 8-PowerTDFN (34-pin) yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. -55°C ile +175°C arasında çalışır ve maksimum 167W güç yayabilir. Gate threshold gerilimi 2V'dir. Yüksek akımlı anahtarlama uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor kontrol ve endüstriyel otomasyon sistemlerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 78 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok