Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUC100N08S5N043ATMA1

MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON-34

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IAUC100N08S5N043

IAUC100N08S5N043ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC100N08S5N043ATMA1, 80V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. 8-PowerTDFN (PG-TDSON-8-34) SMD paket ile sunulan bu bileşen, düşük 4mOhm on-state direnci (Rds On) ile yüksek akım uygulamalarında verimli çalışır. Gate eşik gerilimi 3.8V (63µA'de) ile hızlı anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında güvenilir operasyon sunar. Güç yönetimi, motor kontrol, elektrikli araç uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi yüksek akım gerektiren uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3860 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 63µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok