Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUC100N08S5N034ATMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUC100N08S5N034
IAUC100N08S5N034ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC100N08S5N034ATMA1, 80V Drain-Source gerilim ile tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. 132A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu transistör, 3.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. PG-TDSON-8 paketinde sunulan komponent, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 136W güç yayını kapasitesi bulunmaktadır. Düşük gate charge (66nC) ve düşük input capacitance (4.559pF) değerleri, hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarımını göstermektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 132A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 66 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4.559 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8-34 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 78µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok