Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUC100N08S5N031ATMA1

MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8-34

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IAUC100N08S5N031ATMA1

IAUC100N08S5N031ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC100N08S5N031ATMA1, 80V drain-source gerilimi ile 100A sürekli drenaj akımına sahip N-channel MOSFET transistördür. TDSON-8-34 paket tipinde surface mount olarak tasarlanmış bu bileşen, 3.1mΩ (10V, 50A) düşük drain-source direnci sayesinde güç dönüştürme uygulamalarında verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve diğer yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 76nC gate charge ve 5525pF input kapasitans değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5525 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8-34
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 95µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok