Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUC100N04S6N022ATMA1
IAUC100N04S6N022ATMA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUC100N04S6N022ATMA1
IAUC100N04S6N022ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC100N04S6N022ATMA1, 40V çalışma gerilimi ve 100A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. Surface Mount paketlemesi (8-PowerTDFN) ile kompakt tasarımlara uyumludur. 2.26mΩ düşük RDS(on) değeri, güç dönüştürme uygulamalarında ısıl kayıpları minimize eder. -55°C ile 175°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. Düşük gate charge (39nC) sayesinde hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2421 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.26mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 32µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok