Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUC100N04S6N015ATMA1
IAUC100N04S6N015ATMA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUC100N04S6N015ATMA1
IAUC100N04S6N015ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC100N04S6N015ATMA1, 100A sürekli dren akımı ve 40V dren-kaynak gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 1.55mOhm düşük RDS(on) direnci sayesinde enerji verimliliği yüksektir. 8-PowerTDFN yüzeye monte paket ile sunulan bu komponentin maximum güç dağılımı 100W'tır. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 10V gate sürüş gerilimi ile kontrol edilebilir, gate yükü maksimum 55nC'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok