Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUC100N04S6L025ATMA1
IAUC100N04S6L025ATMA1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUC100N04S6L025ATMA1
IAUC100N04S6L025ATMA1 Hakkında
IAUC100N04S6L025ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ile 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 2.56mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 34nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç dönüştürme, DC-DC konvertörler ve enerji yönetimi sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2019 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.56mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 24µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok