Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUC100N04S6L014ATMA1

IAUC100N04S6L014ATMA1

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
IAUC100N04S6L014ATMA1

IAUC100N04S6L014ATMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUC100N04S6L014ATMA1, 40V drain-source gerilim derecesinde çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 100A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 1.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. PG-TDSON-8 paket tipinde sunulan transistör, yüksek akım uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde, motor kontrolü ve switch modlu güç kaynakları gibi alanlarda kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilen, 100W maksimum güç dağıtımına dayanıklı bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3935 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-TDSON-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 50µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok