Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUA250N08S5N018AUMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 5-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUA250N08S5N018
IAUA250N08S5N018AUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUA250N08S5N018AUMA1, 80V drain-source gerilimi ve 250A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. PG-HSOF-5 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 1.8mΩ (10V, 100A koşullarında) düşük gate kaynağı direncine ve 238W maksimum güç dağılımına sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç anahtarlaması, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve enerji yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile endüstriyel ve otomotiv elektronik sistemlerinde güvenli ve verimli şekilde kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 250A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 125 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8715 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 5-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 238W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-5-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok