Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUA250N04S6N007AUMA1
MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 5-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUA250N04S6N
IAUA250N04S6N007AUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUA250N04S6N07AUMA1, 40V drain-source gerilimi ve 435A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. PG-HSOF-5 paketinde sunulan bu transistör, 700µΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 151nC ve giriş kapasitanası 9898pF'dir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu bileşen, 250W güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Güç dönüşüm uygulamaları, motor sürücüleri, elektrik güç yönetimi ve anahtarlama devreleri gibi yüksek akım gerektiren uygulamalarda kullanılır. Surface mount teknolojisiyle monte edilen bileşen, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 435A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 151 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9898 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 5-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700µOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-5-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok