Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUA200N04S5N010AUMA1
MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 5-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUA200N04S5N010
IAUA200N04S5N010AUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUA200N04S5N010AUMA1, N-channel MOSFET transistörü olup 40V drain-source gerilimi ve 200A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 5-PowerSFN (5HSOF) yüzey montajlı paketiyle sunulan bu bileşen, güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılmaktadır. Düşük on-direnç (Rds-on) değeri 1mOhm @ 100A, 10V ile ısı yayılımını minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, motor kontrol, inverter, DC-DC konvertör ve yüksek akım anahtarlama devrelerinde tercih edilir. 167W maksimum güç tüketim kapasitesi ve hızlı kapanma karakteristiğiyle verimli tasarımlara olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 132 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7650 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 5-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-5-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.4V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok