Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IAUA180N10S5N029AUMA1
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 5-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IAUA180N10S5N029
IAUA180N10S5N029AUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IAUA180N10S5N029AUMA1, 100V drain-source gerilimi ile çalışabilen yüksek akım kapasiteli N-channel MOSFET transistördür. 25°C sıcaklıkta 180A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 2.9mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. PG-HSOF-5 paketinde sunulan komponent, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri, switched-mode power supplies (SMPS) ve enerji yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 221W maksimum güç tüketimi kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 180A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 105 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7673 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 5-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 221W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-5-4 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok