Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUA180N08S5N026AUMA1

MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5

Paket/Kılıf
5-PowerSFN
Seri / Aile Numarası
IAUA180N08S5N026

IAUA180N08S5N026AUMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUA180N08S5N026AUMA1, 80V drain-source gerilimi ve 180A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET'tir. PG-HSOF-5 SMD paketinde sunulan bu transistör, 2.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. Güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve yüksek akım gerektiren uygulamalarda kullanılır. 87nC gate charge ve 5980pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri için tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5980 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 5-PowerSFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package PG-HSOF-5-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 100µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok