Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUA180N04S5N012AUMA1

MOSFET N-CH 40V 180A HSOF-5-1

Paket/Kılıf
5-PowerSFN
Seri / Aile Numarası
IAUA180N04S5N012AUMA1

IAUA180N04S5N012AUMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUA180N04S5N012AUMA1, 40V drain-source gerilimi ve 180A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. HSOF-5-1 (PG-HSOF-5-1) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (1.2mΩ @ 90A, 10V) ile enerji kaybını minimize ederek verimli işletilmesini sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100nC maksimum gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği taşır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6158 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 5-PowerSFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package PG-HSOF-5-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.4V @ 70µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok