Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IAUA170N10S5N031AUMA1

MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5

Paket/Kılıf
5-PowerSFN
Seri / Aile Numarası
IAUA170N10S5N031AUMA1

IAUA170N10S5N031AUMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen IAUA170N10S5N031AUMA1, 100V drain-source voltaj ile çalışan N-Channel MOSFET'tir. 25°C sıcaklıkta 170A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu transistör, güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.1mOhm (10V, 85A) on-resistance değeri ile verimliliği arttırır. Surface Mount PG-HSOF-5-4 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 197W güç dağılımı yapabilir. ±20V gate-source voltaj toleransı ile geniş uygulama yelpazesinde kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 170A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6405 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 5-PowerSFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 197W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 85A, 10V
Supplier Device Package PG-HSOF-5-4
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 110µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok