Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA76645S3ST

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUFA76645S3

HUFA76645S3ST Hakkında

HUFA76645S3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj (Vdss) ve 75A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 14mOhm maksimum RDS(on) değeriyle düşük direnç özellikleri sunar. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde üretilmiştir. -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 310W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Yüksek akım anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 4.5V/10V gate drive voltajlarında optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 75A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok