Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA76639S3S
MOSFET N-CH 100V 51A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA76639S3S
HUFA76639S3S Hakkında
HUFA76639S3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ile 51A sürekli akım kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey monte pakajında sunulan bu bileşen, 26mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon sunar. 180W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç dönüştürme devreleri ve yük anahtarlaması gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 4.5V ile 10V arasında drive gerilimi ve ±16V maksimum gate gerilimi özellikleri ile çeşitli kontrol devrelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 51A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 51A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok