Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA76639P3

MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HUFA76639P3

HUFA76639P3 Hakkında

HUFA76639P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 51A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir anahtarlama elemanıdır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 26mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 180W maksimum güç dağıtımı kapasitesi sayesinde motor kontrol, güç kaynakları, inverter devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve TTL/CMOS uyumlu sürücü gerilimi gereksinimleri içerir. Göçükmeli devre tasarımlarında hızlı anahtarlama ve yüksek verimlilik sağlayan bir seçenektir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 51A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 51A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok