Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA76633S3ST

MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUFA76633S3

HUFA76633S3ST Hakkında

HUFA76633S3ST, onsemi tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 39A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 35mOhm maksimum on-resistance değeri ile verimli iletim sağlar. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları, LED sürücüler ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 145W güç dissipasyonuna sahiptir. Bileşen Obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 39A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1820 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 145W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 39A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok