Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA76633S3S
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA76633S3S
HUFA76633S3S Hakkında
HUFA76633S3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 39A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 35mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen kompakt tasarımı, anahtarlama kaynakları, motor sürücüleri, invertörler ve güç yönetimi devrelerine entegre edilmek üzere tasarlanmıştır. 145W maksimum güç yayılması özelliğine sahiptir. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1820 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 145W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 39A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok