Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA76633P3

MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
HUFA76633P3

HUFA76633P3 Hakkında

HUFA76633P3, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj kapasitesi ile 39A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol, anahtarlama devreleri ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. 35mΩ tipik on-resistance değeri ile enerji verimliliği sağlar. Maksimum 145W güç saçabilir ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate threshold voltajı 3V olup, ±16V maksimum gate-source voltajı ile güvenli kontrol sağlanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 39A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1820 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 145W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 39A, 10V
Supplier Device Package TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok