Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA76629D3ST

MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUFA76629D3

HUFA76629D3ST Hakkında

HUFA76629D3ST, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 20A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. RDS(on) değeri 52mΩ'dur (20A, 10V koşullarında). TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulur. Gate charge 46nC ve input capacitance 1285pF'dir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. 110W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle, güç amplifikasyon, anahtarlama devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. Maksimum Vgs değeri ±16V'tur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1285 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok