Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA76629D3S
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA76629D3
HUFA76629D3S Hakkında
HUFA76629D3S, onsemi tarafından üretilen N-channel güç MOSFET'idir. 100V drain-source gerilim derecelendirilmesiyle ve 20A sürekli drain akımı kapasitesiyle, anahtarlama ve doğrultma uygulamalarında kullanılır. 52mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük kayıp ve verimli işletme sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paket, kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığında, güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 110W güç dağılımı kapasitesiyle güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1285 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok