Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA76609D3ST_NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA76609D3
HUFA76609D3ST_NL Hakkında
HUFA76609D3ST_NL, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 100V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtar görevi yapar. TO-252 (D-Pak) kasa tipinde sunulan transistör, 160mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 49W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Anahtar uygulamaları, motor kontrol devreleri, anahtarlamalı güç kaynakları, güç regülatörleri ve endüstriyel denetim sistemlerinde kullanılır. 4.5V ile 10V arasında sürülme gerilimleriyle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 425 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok