Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA76609D3ST
MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA76609D3
HUFA76609D3ST Hakkında
HUFA76609D3ST, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 10A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 160mΩ maksimum RDS(on) değerine sahip olan bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketi ile sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. Gate charge 16nC ve input capacitance 425pF değerleriyle hızlı anahtarlama gereksinimli devrelerde kullanılmaya uygundur. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Komponent mevcut durumu itibariyle üretim dışıdır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 425 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok