Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA76609D3S
MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA76609D3S
HUFA76609D3S Hakkında
HUFA76609D3S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı kapasitesiyle çalışır. TO-252 (DPak) paket tipi sayesinde yüzey monte uygulamalarda kullanılır. 160mΩ maksimum on-state direnci (10A, 10V koşullarında) ve 49W maksimum güç yayılımı özellikleriyle sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığını destekler. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve genel DC anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılır. 16nC gate charge ve 425pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 425 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok