Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
HUFA76609D3
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- HUFA76609D3
HUFA76609D3 Hakkında
HUFA76609D3, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (160mΩ @ 10A, 10V) sayesinde enerji kaybını minimize eder. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 49W'a kadar güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak kullanılır. Gate charge değeri (16nC @ 10V) hızlı anahtarlama sağlar. Türü: Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 425 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 49W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok