Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA76429S3ST

MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
HUFA76429S3

HUFA76429S3ST Hakkında

HUFA76429S3ST, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 47A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paketlemesiyle kompakt tasarımlara uyarlanmıştır. 22mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate şarj karakteristiği 46nC'dir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörler ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 110W güç dağıtma kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 47A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 47A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok