Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

HUFA76429D3ST

MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
HUFA76429D3

HUFA76429D3ST Hakkında

HUFA76429D3ST, onsemi tarafından üretilen N-channel güç MOSFET'idir. 60V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (23mOhm @ 20A, 10V) ile verimli güç iletimini sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve güç yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 110W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve 46nC gate charge değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Surface mount montajı için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1480 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package TO-252AA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±16V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok